MEMOIRE FLASH, NOR ET NAND

Mémoire flash

Elle a les mêmes caractéristiques qu'une mémoire vive à part qu'elle garde les données lors d'une mise hors tension.

  • Caractéristiques
  •     - Mémoire de masse

        - Ré-inscriptible

        - A semi-conducteurs

        - Non-volatile


    Fonctionnement

    Grille de contrôle / Grille flottante en suspension dans un oxyde / 2 éléctrodes

  • Avantages
  •     - Vitesse élevée

        - Grande durée de vie

        - Consommation faible

        - Résistance aux chocs


  • Utilisations
  •     - Appareils photo numérique

        - Imprimantes

        - Téléphones

        - Ordinateurs portables...

    Les transistors utilisés dans la mémoire flash contiennent deux grilles, une de contrôle et une deuxième, appelée grille flottante, qui est en suspension dans un oxyde, le tout est placé sur un substrat qui contient deux électrodes.

    Pour écrire une donnée, on doit faire passer un courant électrique entre les deux électrodes et une tension plus élevée dans la grille de contrôle. Une partie des électrons passent entre les électrodes et va se déplacer vers la grille flottante, à travers l’oxyde. Une fois la grille saturée avec des électrons, elle devient isolante et est considérée comme un 0 binaire.

    L’effacement d’une cellule s’effectue de la même façon, mais en faisant passer une tension négative dans la grille de contrôle. Les électrons se déplacent alors de la grille flottante vers le substrat. Une fois la grille flottante « vidée » de ses électrons, elle est considérée comme un 1 binaire.

    Pour la lecture, c’est assez simple : il faut mesurer la résistance de la grille flottante, en faisant passer une tension faible dans la grille de contrôle et dans une des électrodes. Si les électrons passent entre la grille de contrôle et l’électrode, la grille flottante n’est pas isolante, on a un 1 binaire. Si le courant ne passe pas, on a un 0 binaire. La lecture est donc plus rapide que l’écriture ou l’effacement, car on ne doit pas remplir ou vider la grille flottante avec des électrons.

  • Fonction logique NOR = NON OU (inverse de OU) et NAND = NON ET (inverse de ET)
  • Table de vérité : inverse des tables de vérité de OU et de ET

    C'est la manière dont les mémoires flash vont rechercher les données dans les cellules.

    NOR : recherche aléatoire : recherche la cellule grâce à l'adresse de cette cellule.

    Utilisé pour stocker : OS, microprogrammes pour les cartes mères, micro-logiciels des téléphones, ...

  • Avantages
  •     - Interagit directement avec le processeur

  • Inconvénients
  •     - Temps d'effacement et d'écriture plus long

        - Coût supérieur

    NAND : recherche successif, séquenciel : recherche cellule par cellule

    Utilisé pour former les cartes mémoires et les disques durs SSD

  • Avantages
  •     - Plus rapide

        - Moins cher

        - Plus grande capacité de stockage

        - Durée de vie plus importante

        - Plus dense

  • Inconvénients
  •     -

  • Sources

  • http://www.solutionitpme.fr/2012/04/25/comprendre-quest-ce-que-la-memoire-flash-1284
  • http://tpe.kyvandoan.free.fr/?page_id=24
  • http://obligement.free.fr/articles/memoireflash.php
  • http://fr.wikipedia.org/wiki/M%C3%A9moire_flash
  • http://www.01net.com/article/294825.html